MX113L
特性
l 低待机电流 (小于 0.1uA)
l 低导通内阻 MOSFET 功率开关管
— 采用 MOS 工艺设计功率管
— 800 毫安通道功率管内阻 0.43 欧姆
— 200 毫安通道功率管内阻 0.36 欧姆
l 内部集成续流二极管
— 无需外接续流二极管
l 超小型封装尺寸
— 采用 SOT23-6 封装
— 含引脚外形尺寸 2.92mm*2.8mm
l 较小的输入电流
— 集成约 7K 对地下拉电阻
— 3V 驱动信号平均 420uA 输入电流
l 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
l 抗静电等级:3KV (HBM)
应用范围
l IR-CUT 驱动
l 电动玩具
l 步进电机驱动
概述
该产品采用 H 桥电路结构设计,采用高可靠性
功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感性负载。
电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET,工作
电压范围覆盖 2V 到 8V。27℃,VCC=5V 条件下最大
持续输出电流达到1A,最大峰值输出电流达到1.5A。
该单路为功率器件,本身具备一定内阻,电路
的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度
密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路,实时
监控芯片内部发热,当芯片内部温度超过设定值时
(典型值 150℃),产生功率管关断信号,关闭负载电
流,避免因异常使用导致的温度持续升高,进而造
成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置
的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才
允许重新对功率管进行控制。
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