概述

  该产品采用 H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，工作电压范围覆盖 2V 到 9.6V。27℃，VDD=6.5V 条件下最大持续输出电流达到 1.1A，最大峰值输出电流达到 2.5A。

  该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值 150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。

特性

■低待机电流 (小于 0.1uA) 

■低导通内阻 MOSFET 功率开关管 — 采用 MOS 工艺设计功率管 — 1200 毫安通道功率管内阻 0.35 欧姆 — 200 毫安通道功率管内阻 0.31 欧姆 

■特定条件下 VCC 可以悬空 — 输入信号最低高电平电压大于 2.4V 

■较小的输入电流 — 集成约 15K 对地下拉电阻 — VCC 正常连接